2026年5月28日 点击人次:99
根据《上海市教育委员会 上海市发展和改革委员会 上海市公安局关于做好2026年非上海生源应届普通高校毕业生进沪就业工作的通知》
相关文件要求，现对南昌大学物理与材料学院2023级硕士研究生张亦豪（学号：4022******28）在读期间获得的发明专利情况进行公示：
发明名称：基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔
专利权人：南昌大学
地 址：330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
发明人：邓伟民;张亦豪;于天宝;万里鹏
专利号：ZL 2025 1 0758403.0
专利申请日：2025年06月09日
授权公告号：CN 120255073 B
授权公告日：2025年08月12日
申请日时申请人：南昌大学
申请日时发明人：邓伟民;张亦豪;于天宝;万里鹏
该专利与该生学位论文《基于赝自旋光子晶体平板的低损耗拓扑波导和微腔研究》相关。
公示日期为2026年5月28日至2026年6月10日（共10个工作日）。
公示期间如有异议，请与南昌大学招生与就业工作处（学生就业指导服务中心）联系。
联系电话：0791-83969995
招生与就业工作处
2026年5月28日
